特讯热点！三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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RTX 50系列核心规格曝光：两款型号缩水，引发性能担忧

据最新消息，NVIDIA即将发布的RTX 50系列显卡核心规格已经曝光，其中包括旗舰级AD102、次旗舰级AD103、中端级AD104、AD106和入门级AD107。然而，与上一代Ampere架构相比，此次曝光的RTX 50系列核心规格出现了一些缩水情况，尤其是在入门级AD106和AD107两款型号上，引发了业界对性能表现的担忧。

旗舰级AD102核心

旗舰级AD102核心拥有182组SM单元，相比上一代的GA102增加了14组，晶体管数量预计超过700亿。据称，RTX 5090 Ti显卡将采用AD102核心，其性能将大幅超越RTX 3090 Ti，有望达到4K分辨率下流畅运行光追游戏的水平。

次旗舰级AD103核心

次旗舰级AD103核心拥有112组SM单元，相比上一代的GA103增加了12组。预计RTX 5080 Ti和RTX 5080显卡将采用AD103核心，性能将分别比RTX 3080 Ti和RTX 3080提升约15%和10%。

中端级AD104和AD106核心

中端级AD104核心拥有76组SM单元，相比上一代的GA104增加了8组。预计RTX 5070 Ti和RTX 5070显卡将采用AD104核心，性能将分别比RTX 3070 Ti和RTX 3070提升约12%和8%。

入门级AD107核心

入门级AD107核心拥有40组SM单元，相比上一代的GA106减少了8组。这是此次曝光的RTX 50系列核心规格中唯一出现缩水的情况。预计RTX 5060 Ti和RTX 5060显卡将采用AD107核心，性能将分别与RTX 3060 Ti和RTX 3060持平。

缩水引发性能担忧

入门级AD107核心的缩水，引发了业界对RTX 50系列入门级显卡性能表现的担忧。有分析人士认为，RTX 5060 Ti和RTX 5060的性能可能无法满足未来主流游戏的需求，尤其是在开启光追效果的情况下。

价格和上市时间

目前，NVIDIA尚未公布RTX 50系列显卡的价格和上市时间。预计RTX 50系列显卡将于2024年下半年陆续上市。

总体而言，RTX 50系列显卡在性能方面带来了明显的提升，但入门级型号的缩水也带来了一些隐忧。具体性能表现如何，还有待进一步的测试和验证。